TechInsights 报告预测，2025 年第一季度 SK 海力士将首次推出 D1c 产品，D1c 世代将在 2026 年和 2027 年成为主流，特别是 HBM4 DRAM 应用。目前市场上 HBM 产品性能优越但价格高，而 LPDDR5 和 DDR5 等传统产品价格低但性能较弱。未来 AI 和数据中心将需要更高内存容量的单个裸晶，如 32 Gb、48 Gb 或 64 Gb 芯片，但目前主流仍是 16 Gb 裸晶。为实现更高密度 DRAM 芯片，需开发 3D DRAM 架构，并在 10 纳米以下级别节点实现产品化，特别是三星、SK 海力士和美光等主要厂商。预计到 2027 年底，DRAM 将迈入个位数纳米技术节点，如 D0a，随后将是 0b 和 0c 世代。