知情人士表示，三星电子计划明年限制内存芯片产量，从而在预计内存芯片需求放缓之际保持供需平衡。该知情人士说，此举将有助于维持或推高半导体价格 … 他表示，三星目前预计动态随机存取存储器的位元成长率不到 20%，而 NAND 闪存的位元成长率约为 30%。三星今年早些时候表示，预计 2018 年 DRAM 内存和 NAND 闪存的位元成长率分别为 20% 和 40% … 位元成长率是衡量内存芯片市场需求的一个关键晴雨表。较低的预测可能导致芯片制造商削减诸如设备和材料订单的投资，同时限制供应，推高价格。