SK Hynix（SK 海力士）宣布研发完成基于 1Ynm 工艺的 8Gb（1GB）容量 DDR4 DRAM 芯片 … SK 海力士还表示，新的 1Ynm 芯片还显著提高了传感器精准度、调整了晶体管结构，使得数据传输的出错率降低 … 在存储芯片从 20+nm 进入 10+nm 工艺之后，厂商对工艺的描述已经不再使用具体的数字了，20nm 之后是 1x nm 工艺，再往后则是 1y nm 工艺，还有 1z nm 工艺的说法，至于 XYZ 具体的含义，由于每家公司的工艺并不一样，所以缺少详细的解释。