三星电子在美国设立新研究实验室，开发新一代 3D DRAM，以扩大其在全球存储芯片市场的领导地位。该实验室隶属于美国硅谷的 Device Solutions America（DSA），将推进 3D 存储芯片技术的创新。三星已透露计划推出纳米技术更先进的 3D DRAM 产品，单芯片容量有望超过 100 千兆位。此外，三星在 2013 年首次商用化 3D 垂直 NAND 闪存技术。