消息称 SK 海力士加速 NAND 研发，400 + 层闪存明年末量产就绪

SK 海力士计划加速开发下一代 NAND 闪存，目标是在 2025 年末完成 400 + 层堆叠 NAND 的量产准备，并在 2026 年二季度开始大规模生产。