三星电子将在平泽 P4 工厂建设 1c nm DRAM 内存产线，预计明年 6 月投入运营。该产线旨在提升 HBM4 内存的能效竞争力，以追赶 HBM 领域的领先者 SK 海力士。同时，也为可能的 HBM4 生产需求做好准备。