SK 海力士计划 2026 年首次导入 ASML High NA EUV 光刻机
2024 年 8 月 19 日

SK 海力士计划于 2026 年首次导入 ASML 的 High NA EUV 光刻机,并已成立研发团队致力于将该技术应用于最先进的 DRAM 内存生产。英特尔已获得全球第一台商用 High NA EUV 光刻机,台积电三星电子的首台 High NA EUV 光刻机也有望于 2024 年至 2025 年期间交付。

专业版功能专业版功能
登录
体验专业版特色功能,拓展更丰富、更全面的相关内容。

行业标签

二维码

更多体验

前往小程序

二维码

24 小时

资讯推送

进群体验

logo
科技新闻,每天 3 分钟