ASML 新任 CEO 傅恪礼在 SPIE 大会上介绍了 High NA EUV 光刻机，表示其不太可能出现延迟，并提到了新的组装扫描仪子组件方法。英特尔院士兼光刻总监 Mark Phillips 则宣布，英特尔已在波特兰工厂完成两台 High NA 光刻系统的安装，并认为 High NA EUV 相对于标准 EUV 光刻机所带来的改进可能比之前想象中还要多。他还表示，用于 High NA 的光刻掩模检测工作已经按计划开始进行，英特尔目标插入点是 Intel 14A 工艺，预计在 2026-2027 年量产。