三星电子在 3D NAND 闪存生产的光刻工艺上实现技术突破，通过减少光刻胶用量和优化涂层后的蚀刻工艺，将每层涂层的所需光刻胶从 7-8cc 降低至 4-4.5cc。同时，采用更厚的氟化氪光刻胶以一次性形成多个层，提高生产效率。自 2013 年起，三星与供应商东进半导体化学公司合作研发高性能光刻胶，东进半导体为三星的多代 3D NAND 提供了关键材料。第 9 代 3D NAND 开始，三星将全面应用该新技术，提高生产效率并节省大量成本，尽管这可能会导致东进半导体的光刻胶订单减少。