传三星将采用长江存储专利技术 用于下代 V-NAND 闪存

长江存储已出货第五代 3D TLC NAND 闪存，采用 Xtacking 4.0 架构，实现高密度和垂直栅密度。三星计划从第 10 代 NAND 开始采用长江存储的混合键合技术，以提高性能和散热性，预计 2025 年下半年量产 420-430 层的第 10 代 V-NAND 闪存。SK 海力士也在与长江存储进行专利协议谈判。