三星 DRAM 制程升级,多款 1y nm DDR4 内存条将告别市场
4 月 22 日

三星电子正加速 DRAM 内存制程工艺升级,逐步停产基于旧版 1y nm 工艺的 DDR4 内存模组,包括 8GB 及 16GB 容量的 SODIMM/UDIMM 产品,最后订购和交付时间分别截至今年 6 月上旬和 2025 年 12 月 10 日。同时,三星已停止生产 DDR3 内存,并计划将生产线转向 DDR5HBM 等更先进产品,1y nm DDR4 产能占比将从今年年中起降至不足一成,而 1z nm DDR4 预计于 2027 年停产。

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