台积电突破:巨型芯片功耗达 1000W,性能提升 40 倍创纪录
4 月 25 日

台积电正通过 CoWoS 封装技术突破芯片尺寸与性能极限,中介层面积已突破 2831 平方毫米,未来计划扩展至 7885 平方毫米,可容纳多颗计算芯片与 HBM 内存。为应对高功耗和发热问题,台积电将集成电源管理 IC 并探索高效液冷散热方案。同时,行业需制定新 OAM 形态标准以适应更大尺寸芯片需求,推动高性能计算发展。

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