三星电子位于美国得州泰勒的晶圆厂加速布局先进制程,工艺从 4nm 升级至 2nm,已下达 2nm 匹配的半导体制造设备订单,首批设备 2026 年 3 月导入,最早二季度启动初始制造,2027 年大规模量产。该厂初期产能目标从 20k WPM 提至 50k WPM,2027 年达 100k WPM,旨在与台积电争夺先进制程订单,以产能优势吸引美国客户。
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