三星电子展出业界最小 3D 堆叠晶体管

三星电子实现了业界最小的 3D 堆叠晶体管，在 VLSI2026 上展示了栅极间距为 42nm 的 3D 堆叠场效应晶体管成果，该技术将晶体管垂直堆叠而非放置在平面上，预计将应用于系统半导体领域。