美光科技：预计下一代 DRAM 与 NAND 明年下半年开始进入量产阶段

美光科技 6 月 24 日表示，下一代 DRAM 与 NAND 节点研发进展良好，预计 2027 年下半年开始进入量产阶段。HBM412 层产品的量产爬坡速度是 HBM3E12 层版本的两倍，公司已累计交付超过 10 亿美元的 HBM4 收入。