李在镕:三星计划利用全球首个 3 纳米工艺制造芯片
2020 年 1 月 2 日

三星公司称,三星继承人李在镕称,该公司计划采用正在开发的最新 3 纳米全栅极 (GAA) 工艺技术来制造尖端芯片,并提供给全球客户 … 该公司表示,与 5 纳米工艺相比,3 纳米 GAA 技术的逻辑面积效率提高了 35% 以上,功耗降低了 50%,性能提高了约 30%。

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