Readhub
报道：三星电子 12 层堆叠 HBM3E 芯片产品通过英伟达测试
2025 年 9 月 19 日
话题追踪2026-06-23
三星电子 HBM4 芯片推出四个月销售额突破 10 亿美元2026-06-17
三星电子展出业界最小 3D 堆叠晶体管2026-06-16
消息称英特尔英伟达首款联合芯片预计 2028 年 Q1 亮相2026-06-16
三星晶圆代工首获马斯克 Neuralink 芯片制造订单2026-05-25
消息称三星电子完成 900 层超高堆叠 3D NAND 闪存原型开发2026-05-13
三星计划第四季度量产 CXL 3.1 内存芯片 带宽每秒 72GB2026-04-30
三星电子：预计 HBM4 芯片销售额三季度起占比过半2026-03-10
消息称特斯拉延迟 AI6 芯片在三星电子 2nm 节点的多项目晶圆测试2026-03-05
英伟达已将 H200 芯片产能重新分配，转向 Vera Rubin 硬件查看更多
专业版功能体验专业版特色功能，拓展更丰富、更全面的相关内容。