美银预计 SK 海力士至 2028 年实际可新增产能仅为原计划的六分之一

美国银行最新分析显示，SK 海力士至 2028 年实际可新增存储芯片产能或仅为原计划六分之一，受旧厂关闭、技术升级及制程微缩等因素影响，韩国每年实际可增加的运营存储晶圆产能不足 10%，远低于韩国总统李在明设定的 2030 年产能翻倍目标，这一判断既削弱韩国政府产能扩张蓝图，又为 DRAM 价格操纵集体诉讼提供关键佐证，还冲击 DRAM 市场供给预期。