消息称三星电子完成 900 层超高堆叠 3D NAND 闪存原型开发

三星电子近期利用单元多层键合（CMB）技术连接两片 450 层 3D NAND，构建了全球首个 900 层超高堆叠 3D NAND 闪存原型，其存储单元工作特性已得到验证。该过程中，三星通过「上部卡盘」解决晶圆翘曲问题，以新型套刻校正技术克服微细对准误差，并对位线（BL）与字线（WL）进行改进，同时提升了功耗和尺寸表现。